学术报告：半导体激光技术新进展
时间：2019年11月9日(周六)14:30
地点：科技馆八号会议室
报告人：***院士
专家介绍：
***，中国科学院院士、激光与光电子技术专家。***院士长期从事高功率半导体激光技术等领域的基础与应用研究，从理论上阐明了瓦级垂直腔面发射激光器运作的可行性，提出多增益区等新结构和设计理念，2004年在国际上首次研制出瓦级垂直腔面发射激光器，并陆续取得了一些国际同期最好成果。在国内率先研制出无铝量子阱长寿命边发射激光器。提出了多种半导体激光合束结构及方法，研制出高光束质量高功率密度半导体激光系列光源，在多领域获得重要应用并产生了显著的社会和经济效益。
